OLED之痛——蒸鍍工藝【干貨】

北京時間11月09日消息，中國觸摸屏網(wǎng)訊，

OLED顯示技術(shù)作為一種主動式發(fā)光技術(shù)，經(jīng)過十多年的發(fā)展后終于在小尺寸手機和大尺寸電視市場取得了一定的突破，并以其絕佳的色彩、對比和未來在柔性上的前景，越來越受到消費者的喜愛。但說到OLED，就不得不提到OLED工藝技術(shù)之痛（瓶頸技術(shù)）—蒸鍍。

    本文來自：http://www.51touch.com/lcd/news/dynamic/2021/1109/60757.html

由于OLED器件中有機薄膜的總膜厚為100～200nm，而且是有機材料，在CVD、蒸鍍、涂布、印刷等成膜技術(shù)中，目前量產(chǎn)性較好的就是蒸鍍技術(shù)了（尤其對小分子OLED材料來說）。

蒸鍍在OLED制造工藝中應用，它的好壞直接影響到OLED屏幕顯示，另外，目前主要蒸鍍關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備掌握在日本廠家手中（OLED屏制造的代表——三星，它使用的蒸鍍機就是佳能旗下的子公司——CanonTokki。），且市場蒸鍍設(shè)備也不多，這也是OLED屏幕成本高的一個重要原因。

真空蒸鍍

這里蒸鍍就是真空中通過電流加熱，電子束轟擊加熱和激光加熱等方法，使被蒸材料蒸發(fā)成原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結(jié)，形成薄膜。在較高的真空度下：不僅蒸發(fā)出來的物質(zhì)原子或分子具有較長的平均自由程，可以直接沉積到襯底表面上;還可以確保所制備的薄膜具有較高的純凈度。

OLED顯示技術(shù)——蒸鍍

主要應用于RGB（紅綠藍）三色排列的典型OLED屏幕。我們所知蒸鍍是OLED制造工藝的精華部分，而且不僅是發(fā)光材料，金屬電極等等之類也是這么蒸上去的。但實際操作還是非常復雜的，比如如何控制像素區(qū)域，像素要怎么對齊，還有控制蒸上去的薄膜厚度，什么前處理、蒸鍍室的真空度等。

蒸鍍在OLED的工藝流程中的環(huán)節(jié)

OLED按驅(qū)動方式主要分為：被動方式—PMOLED和主動方式—AMOLED。其中PMOLED結(jié)構(gòu)相比AMOLED簡單，在工藝流程大體相似，主要是PMOLED沒有像AMOLED在屏幕中加裝TFT和電容層。如下通過參考PMOLED工藝流程圖了解OLED生產(chǎn)的蒸鍍環(huán)節(jié)。

蒸鍍裝置

裝置的主要組成：真空環(huán)境、蒸發(fā)源、襯底

蒸鍍元素的平衡蒸氣壓隨溫度的變化

當元素的分壓低于其平衡蒸氣壓時，元素發(fā)生凈蒸發(fā)。反之，元素發(fā)生凈沉積。蒸發(fā)時,單位表面上元素的凈蒸發(fā)速率(物質(zhì)通量)等于

a為一個介于0~1之間的系數(shù)；pe 和ph 是元素的平衡蒸氣壓和實際分壓。當a=1，且ph=0時，蒸發(fā)速率F取得最大值，由此，可以計算物質(zhì)的蒸發(fā)、沉積速率。

元素蒸發(fā)速率的另一種表達形式為單位表面上元素的質(zhì)量蒸發(fā)速率

由于元素的平衡蒸氣壓隨溫度的增加很快，因而對元素蒸發(fā)速率影響最大的因素是蒸發(fā)源所處的溫度。

薄膜沉積的方向性和均勻性

在物質(zhì)蒸發(fā)的過程中，被蒸發(fā)原子的運動具有明顯的方向性。并且，蒸發(fā)原子運動的方向性對被沉積的薄膜的均勻性會產(chǎn)生重要的影響。物質(zhì)的蒸發(fā)源可以有不同的形態(tài)。距襯底較遠、尺寸較小的蒸發(fā)源可以被認為是點蒸發(fā)源。

實際面源情況下薄膜沉積速率隨角度f的變化

在蒸發(fā)沉積方法中常使用的克努森盒(Knudsencell)，相當于一個面蒸發(fā)源。它是在一個高溫坩堝的上部開一個直徑很小的小孔。在坩堝內(nèi)，物質(zhì)的蒸氣壓近似等于其平衡蒸氣壓；而在坩堝外，仍保持著較高的真空度。與普通的面蒸發(fā)源相比，它具有較小的有效蒸發(fā)面積，因此它的蒸發(fā)速率較低。但其蒸發(fā)束流的方向性較好。最為重要的是，克努森盒的溫度以及蒸發(fā)速率可以被控制得極為準確。

以坩堝作為蒸發(fā)容器的蒸發(fā)源的一般情況如圖所示。坩堝蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率、蒸發(fā)束流的方向性等介于克努森盒與自由蒸發(fā)源之間。

點源與面源情況下薄膜相對沉積速率與襯底距離與尺寸的關(guān)系

蒸發(fā)沉積技術(shù)的種類

電阻熱蒸發(fā)

裝置簡單，應用廣泛；需要針對不同的被蒸發(fā)材料選擇加熱材料和方法；加熱溫度不能過高，易產(chǎn)生電阻絲等加熱材料的污染。

電子束熱蒸發(fā)

電弧熱蒸發(fā)

激光束熱蒸發(fā)

空心陰極熱蒸發(fā)

蒸鍍工藝中的TS和SD

如圖1所示，是OLED蒸鍍的概念圖。較上面是玻璃基板，再由殷鋼(Invar Steel,即鐵鎳合金）制成的FMM(Fine Metal Mask,即高精細掩模版）蓋住玻璃，然后一起通過磁鐵吸附在上基臺上。蒸鍍源內(nèi)放置有機材料，通過電阻絲加熱或電子束加熱的方式使材料蒸發(fā)，再通過FMM進入到規(guī)定的像素開口區(qū)。這里的TS(Target-Source Distance)就是指蒸鍍源到FMM目標的距離。

TS距離一般在400～800 mm不等。如果是同樣的點蒸鍍源和同樣的蒸鍍角，TS距離較小時，材料利用率高，PPI時較小，但成膜均一性較差，且SD(Shadow Distance,即陰影距離）較大；而TS距離較大時：成膜均一性會變好，SD會變小，但材料利用率較低，PPI較大。

生產(chǎn)FMM的方式主要有三種，即蝕刻（DNP FM）、電鑄（electroforming FM）和多重材料（金屬+樹脂材料）復合。以下即為蝕刻方式FMM制作工藝流程圖。

SD在這里指的就是的和，它會影響PPI，因此越小越好，否則會發(fā)生R串色到B的問題。關(guān)于詳細說明，請參考以下兩點：

（1）是蒸鍍氣體與垂直法線的較大夾角，是FMM二次刻蝕與法線的夾角，是FMM一次刻蝕與法線的夾角，a是FMM和基板間距，b是FMM二次刻蝕深度，c是FMM一次刻蝕深度，d是FMM孔較窄處寬，e是子像素間距，f是FMM二次刻蝕的基準面延伸長度，g是FMM和基板間基準面延伸長度，h是子像素下底間間距。

（2）一般希望，，的值都小一點，這樣孔就是垂直的；同時，在a，b，c的值一定的情況下，f和g的值可以比較??；如果h的值也比較小的話，PPI可以做高。

在蒸鍍過程中，目前最廣泛被使用的方式為精細金屬光罩（FineMetalMask），可以說，蒸鍍的問題的核心，在于對FMM特性的研究。由于FMM在蒸鍍過程中只存在物理變化，因此，對FMM物理特性的研究，顯得尤為重要。

蒸鍍難點及技術(shù)研究

FMM在制作和使用過程中，受到如重力，CF，壓力，磁力等應力的作用。此外蒸鍍有機材料熱量釋放的影響還會產(chǎn)生熱膨脹。以及FMM在應力作用下產(chǎn)生的蠕變行為。對FMM物理特性的研究，主要圍繞應變、蠕變和熱膨脹這三個方面展開。目前，國內(nèi)很少有企業(yè)對此展開全面的研究。在這一點上，三星電子遠遠走在了前面。

主要問題就是FMM在大尺寸時會有彎曲下垂的問題，且畫素有所限制。在高解析度狀況下，目前則多使用Pentile解決光罩限制。

根據(jù)Displaysearch研究，綜觀目前5.5代線以及8代線，垂直掃描光罩（VerticalScanningMak）將是重要指標，韓國廠商正與設(shè)備商如火如荼進行中。垂直掃描在大尺寸面板蒸鍍時可避開變形問題，而且不用切割是優(yōu)勢，但這個方法仍不完美，未來大尺寸的蒸鍍應該還是要使用雷射或Injeck技術(shù)，韓廠當然不會錯過研發(fā)機會，但真正可量產(chǎn)的時間仍不明。

JDI在最近的2019年業(yè)績發(fā)布中，首次公布了OLED量產(chǎn)，稱“作為全球首個垂直蒸鍍”方式，本月將開始正式量產(chǎn)。據(jù) 消息，JDI將采用韓國KPS的Mask拉伸機和PIMS的Open Mask(OMM)。采用6代(1500mm x 1850mm) Half Cut的蒸鍍方式。

北京時間11月09日消息，中國觸摸屏網(wǎng)訊，

OLED顯示技術(shù)作為一種主動式發(fā)光技術(shù)，經(jīng)過十多年的發(fā)展后終于在小尺寸手機和大尺寸電視市場取得了一定的突破，并以其絕佳的色彩、對比和未來在柔性上的前景，越來越受到消費者的喜愛。但說到OLED，就不得不提到OLED工藝技術(shù)之痛（瓶頸技術(shù)）—蒸鍍。

    本文來自：http://www.51touch.com/lcd/news/dynamic/2021/1109/60757.html

由于OLED器件中有機薄膜的總膜厚為100～200nm，而且是有機材料，在CVD、蒸鍍、涂布、印刷等成膜技術(shù)中，目前量產(chǎn)性較好的就是蒸鍍技術(shù)了（尤其對小分子OLED材料來說）。

蒸鍍在OLED制造工藝中應用，它的好壞直接影響到OLED屏幕顯示，另外，目前主要蒸鍍關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備掌握在日本廠家手中（OLED屏制造的代表——三星，它使用的蒸鍍機就是佳能旗下的子公司——CanonTokki。），且市場蒸鍍設(shè)備也不多，這也是OLED屏幕成本高的一個重要原因。

真空蒸鍍

這里蒸鍍就是真空中通過電流加熱，電子束轟擊加熱和激光加熱等方法，使被蒸材料蒸發(fā)成原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結(jié)，形成薄膜。在較高的真空度下：不僅蒸發(fā)出來的物質(zhì)原子或分子具有較長的平均自由程，可以直接沉積到襯底表面上;還可以確保所制備的薄膜具有較高的純凈度。

OLED顯示技術(shù)——蒸鍍

主要應用于RGB（紅綠藍）三色排列的典型OLED屏幕。我們所知蒸鍍是OLED制造工藝的精華部分，而且不僅是發(fā)光材料，金屬電極等等之類也是這么蒸上去的。但實際操作還是非常復雜的，比如如何控制像素區(qū)域，像素要怎么對齊，還有控制蒸上去的薄膜厚度，什么前處理、蒸鍍室的真空度等。

蒸鍍在OLED的工藝流程中的環(huán)節(jié)

OLED按驅(qū)動方式主要分為：被動方式—PMOLED和主動方式—AMOLED。其中PMOLED結(jié)構(gòu)相比AMOLED簡單，在工藝流程大體相似，主要是PMOLED沒有像AMOLED在屏幕中加裝TFT和電容層。如下通過參考PMOLED工藝流程圖了解OLED生產(chǎn)的蒸鍍環(huán)節(jié)。

蒸鍍裝置

裝置的主要組成：真空環(huán)境、蒸發(fā)源、襯底

蒸鍍元素的平衡蒸氣壓隨溫度的變化

當元素的分壓低于其平衡蒸氣壓時，元素發(fā)生凈蒸發(fā)。反之，元素發(fā)生凈沉積。蒸發(fā)時,單位表面上元素的凈蒸發(fā)速率(物質(zhì)通量)等于

a為一個介于0~1之間的系數(shù)；pe 和ph 是元素的平衡蒸氣壓和實際分壓。當a=1，且ph=0時，蒸發(fā)速率F取得最大值，由此，可以計算物質(zhì)的蒸發(fā)、沉積速率。

元素蒸發(fā)速率的另一種表達形式為單位表面上元素的質(zhì)量蒸發(fā)速率

由于元素的平衡蒸氣壓隨溫度的增加很快，因而對元素蒸發(fā)速率影響最大的因素是蒸發(fā)源所處的溫度。

薄膜沉積的方向性和均勻性

在物質(zhì)蒸發(fā)的過程中，被蒸發(fā)原子的運動具有明顯的方向性。并且，蒸發(fā)原子運動的方向性對被沉積的薄膜的均勻性會產(chǎn)生重要的影響。物質(zhì)的蒸發(fā)源可以有不同的形態(tài)。距襯底較遠、尺寸較小的蒸發(fā)源可以被認為是點蒸發(fā)源。

實際面源情況下薄膜沉積速率隨角度f的變化

在蒸發(fā)沉積方法中常使用的克努森盒(Knudsencell)，相當于一個面蒸發(fā)源。它是在一個高溫坩堝的上部開一個直徑很小的小孔。在坩堝內(nèi)，物質(zhì)的蒸氣壓近似等于其平衡蒸氣壓；而在坩堝外，仍保持著較高的真空度。與普通的面蒸發(fā)源相比，它具有較小的有效蒸發(fā)面積，因此它的蒸發(fā)速率較低。但其蒸發(fā)束流的方向性較好。最為重要的是，克努森盒的溫度以及蒸發(fā)速率可以被控制得極為準確。

以坩堝作為蒸發(fā)容器的蒸發(fā)源的一般情況如圖所示。坩堝蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率、蒸發(fā)束流的方向性等介于克努森盒與自由蒸發(fā)源之間。

點源與面源情況下薄膜相對沉積速率與襯底距離與尺寸的關(guān)系

蒸發(fā)沉積技術(shù)的種類

電阻熱蒸發(fā)

裝置簡單，應用廣泛；需要針對不同的被蒸發(fā)材料選擇加熱材料和方法；加熱溫度不能過高，易產(chǎn)生電阻絲等加熱材料的污染。

電子束熱蒸發(fā)

電弧熱蒸發(fā)

激光束熱蒸發(fā)

空心陰極熱蒸發(fā)

蒸鍍工藝中的TS和SD

如圖1所示，是OLED蒸鍍的概念圖。較上面是玻璃基板，再由殷鋼(Invar Steel,即鐵鎳合金）制成的FMM(Fine Metal Mask,即高精細掩模版）蓋住玻璃，然后一起通過磁鐵吸附在上基臺上。蒸鍍源內(nèi)放置有機材料，通過電阻絲加熱或電子束加熱的方式使材料蒸發(fā)，再通過FMM進入到規(guī)定的像素開口區(qū)。這里的TS(Target-Source Distance)就是指蒸鍍源到FMM目標的距離。

TS距離一般在400～800 mm不等。如果是同樣的點蒸鍍源和同樣的蒸鍍角，TS距離較小時，材料利用率高，PPI時較小，但成膜均一性較差，且SD(Shadow Distance,即陰影距離）較大；而TS距離較大時：成膜均一性會變好，SD會變小，但材料利用率較低，PPI較大。

生產(chǎn)FMM的方式主要有三種，即蝕刻（DNP FM）、電鑄（electroforming FM）和多重材料（金屬+樹脂材料）復合。以下即為蝕刻方式FMM制作工藝流程圖。

SD在這里指的就是的和，它會影響PPI，因此越小越好，否則會發(fā)生R串色到B的問題。關(guān)于詳細說明，請參考以下兩點：

（1）是蒸鍍氣體與垂直法線的較大夾角，是FMM二次刻蝕與法線的夾角，是FMM一次刻蝕與法線的夾角，a是FMM和基板間距，b是FMM二次刻蝕深度，c是FMM一次刻蝕深度，d是FMM孔較窄處寬，e是子像素間距，f是FMM二次刻蝕的基準面延伸長度，g是FMM和基板間基準面延伸長度，h是子像素下底間間距。

（2）一般希望，，的值都小一點，這樣孔就是垂直的；同時，在a，b，c的值一定的情況下，f和g的值可以比較??；如果h的值也比較小的話，PPI可以做高。

在蒸鍍過程中，目前最廣泛被使用的方式為精細金屬光罩（FineMetalMask），可以說，蒸鍍的問題的核心，在于對FMM特性的研究。由于FMM在蒸鍍過程中只存在物理變化，因此，對FMM物理特性的研究，顯得尤為重要。

蒸鍍難點及技術(shù)研究

FMM在制作和使用過程中，受到如重力，CF，壓力，磁力等應力的作用。此外蒸鍍有機材料熱量釋放的影響還會產(chǎn)生熱膨脹。以及FMM在應力作用下產(chǎn)生的蠕變行為。對FMM物理特性的研究，主要圍繞應變、蠕變和熱膨脹這三個方面展開。目前，國內(nèi)很少有企業(yè)對此展開全面的研究。在這一點上，三星電子遠遠走在了前面。

主要問題就是FMM在大尺寸時會有彎曲下垂的問題，且畫素有所限制。在高解析度狀況下，目前則多使用Pentile解決光罩限制。

根據(jù)Displaysearch研究，綜觀目前5.5代線以及8代線，垂直掃描光罩（VerticalScanningMak）將是重要指標，韓國廠商正與設(shè)備商如火如荼進行中。垂直掃描在大尺寸面板蒸鍍時可避開變形問題，而且不用切割是優(yōu)勢，但這個方法仍不完美，未來大尺寸的蒸鍍應該還是要使用雷射或Injeck技術(shù)，韓廠當然不會錯過研發(fā)機會，但真正可量產(chǎn)的時間仍不明。

JDI在最近的2019年業(yè)績發(fā)布中，首次公布了OLED量產(chǎn)，稱“作為全球首個垂直蒸鍍”方式，本月將開始正式量產(chǎn)。據(jù) 消息，JDI將采用韓國KPS的Mask拉伸機和PIMS的Open Mask(OMM)。采用6代(1500mm x 1850mm) Half Cut的蒸鍍方式。 北京時間11月09日消息，中國觸摸屏網(wǎng)訊，

OLED顯示技術(shù)作為一種主動式發(fā)光技術(shù)，經(jīng)過十多年的發(fā)展后終于在小尺寸手機和大尺寸電視市場取得了一定的突破，并以其絕佳的色彩、對比和未來在柔性上的前景，越來越受到消費者的喜愛。但說到OLED，就不得不提到OLED工藝技術(shù)之痛（瓶頸技術(shù)）—蒸鍍。

    本文來自：http://www.51touch.com/lcd/news/dynamic/2021/1109/60757.html

由于OLED器件中有機薄膜的總膜厚為100～200nm，而且是有機材料，在CVD、蒸鍍、涂布、印刷等成膜技術(shù)中，目前量產(chǎn)性較好的就是蒸鍍技術(shù)了（尤其對小分子OLED材料來說）。

蒸鍍在OLED制造工藝中應用，它的好壞直接影響到OLED屏幕顯示，另外，目前主要蒸鍍關(guān)鍵技術(shù)和設(shè)備掌握在日本廠家手中（OLED屏制造的代表——三星，它使用的蒸鍍機就是佳能旗下的子公司——CanonTokki。），且市場蒸鍍設(shè)備也不多，這也是OLED屏幕成本高的一個重要原因。

真空蒸鍍

這里蒸鍍就是真空中通過電流加熱，電子束轟擊加熱和激光加熱等方法，使被蒸材料蒸發(fā)成原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結(jié)，形成薄膜。在較高的真空度下：不僅蒸發(fā)出來的物質(zhì)原子或分子具有較長的平均自由程，可以直接沉積到襯底表面上;還可以確保所制備的薄膜具有較高的純凈度。

OLED顯示技術(shù)——蒸鍍

主要應用于RGB（紅綠藍）三色排列的典型OLED屏幕。我們所知蒸鍍是OLED制造工藝的精華部分，而且不僅是發(fā)光材料，金屬電極等等之類也是這么蒸上去的。但實際操作還是非常復雜的，比如如何控制像素區(qū)域，像素要怎么對齊，還有控制蒸上去的薄膜厚度，什么前處理、蒸鍍室的真空度等。

蒸鍍在OLED的工藝流程中的環(huán)節(jié)

OLED按驅(qū)動方式主要分為：被動方式—PMOLED和主動方式—AMOLED。其中PMOLED結(jié)構(gòu)相比AMOLED簡單，在工藝流程大體相似，主要是PMOLED沒有像AMOLED在屏幕中加裝TFT和電容層。如下通過參考PMOLED工藝流程圖了解OLED生產(chǎn)的蒸鍍環(huán)節(jié)。

蒸鍍裝置

裝置的主要組成：真空環(huán)境、蒸發(fā)源、襯底

蒸鍍元素的平衡蒸氣壓隨溫度的變化

當元素的分壓低于其平衡蒸氣壓時，元素發(fā)生凈蒸發(fā)。反之，元素發(fā)生凈沉積。蒸發(fā)時,單位表面上元素的凈蒸發(fā)速率(物質(zhì)通量)等于

a為一個介于0~1之間的系數(shù)；pe 和ph 是元素的平衡蒸氣壓和實際分壓。當a=1，且ph=0時，蒸發(fā)速率F取得最大值，由此，可以計算物質(zhì)的蒸發(fā)、沉積速率。

元素蒸發(fā)速率的另一種表達形式為單位表面上元素的質(zhì)量蒸發(fā)速率

由于元素的平衡蒸氣壓隨溫度的增加很快，因而對元素蒸發(fā)速率影響最大的因素是蒸發(fā)源所處的溫度。

薄膜沉積的方向性和均勻性

在物質(zhì)蒸發(fā)的過程中，被蒸發(fā)原子的運動具有明顯的方向性。并且，蒸發(fā)原子運動的方向性對被沉積的薄膜的均勻性會產(chǎn)生重要的影響。物質(zhì)的蒸發(fā)源可以有不同的形態(tài)。距襯底較遠、尺寸較小的蒸發(fā)源可以被認為是點蒸發(fā)源。

實際面源情況下薄膜沉積速率隨角度f的變化

在蒸發(fā)沉積方法中常使用的克努森盒(Knudsencell)，相當于一個面蒸發(fā)源。它是在一個高溫坩堝的上部開一個直徑很小的小孔。在坩堝內(nèi)，物質(zhì)的蒸氣壓近似等于其平衡蒸氣壓；而在坩堝外，仍保持著較高的真空度。與普通的面蒸發(fā)源相比，它具有較小的有效蒸發(fā)面積，因此它的蒸發(fā)速率較低。但其蒸發(fā)束流的方向性較好。最為重要的是，克努森盒的溫度以及蒸發(fā)速率可以被控制得極為準確。

以坩堝作為蒸發(fā)容器的蒸發(fā)源的一般情況如圖所示。坩堝蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率、蒸發(fā)束流的方向性等介于克努森盒與自由蒸發(fā)源之間。

點源與面源情況下薄膜相對沉積速率與襯底距離與尺寸的關(guān)系

蒸發(fā)沉積技術(shù)的種類

電阻熱蒸發(fā)

裝置簡單，應用廣泛；需要針對不同的被蒸發(fā)材料選擇加熱材料和方法；加熱溫度不能過高，易產(chǎn)生電阻絲等加熱材料的污染。

電子束熱蒸發(fā)

電弧熱蒸發(fā)

激光束熱蒸發(fā)

空心陰極熱蒸發(fā)

蒸鍍工藝中的TS和SD

如圖1所示，是OLED蒸鍍的概念圖。較上面是玻璃基板，再由殷鋼(Invar Steel,即鐵鎳合金）制成的FMM(Fine Metal Mask,即高精細掩模版）蓋住玻璃，然后一起通過磁鐵吸附在上基臺上。蒸鍍源內(nèi)放置有機材料，通過電阻絲加熱或電子束加熱的方式使材料蒸發(fā)，再通過FMM進入到規(guī)定的像素開口區(qū)。這里的TS(Target-Source Distance)就是指蒸鍍源到FMM目標的距離。

TS距離一般在400～800 mm不等。如果是同樣的點蒸鍍源和同樣的蒸鍍角，TS距離較小時，材料利用率高，PPI時較小，但成膜均一性較差，且SD(Shadow Distance,即陰影距離）較大；而TS距離較大時：成膜均一性會變好，SD會變小，但材料利用率較低，PPI較大。

生產(chǎn)FMM的方式主要有三種，即蝕刻（DNP FM）、電鑄（electroforming FM）和多重材料（金屬+樹脂材料）復合。以下即為蝕刻方式FMM制作工藝流程圖。

SD在這里指的就是的和，它會影響PPI，因此越小越好，否則會發(fā)生R串色到B的問題。關(guān)于詳細說明，請參考以下兩點：

（1）是蒸鍍氣體與垂直法線的較大夾角，是FMM二次刻蝕與法線的夾角，是FMM一次刻蝕與法線的夾角，a是FMM和基板間距，b是FMM二次刻蝕深度，c是FMM一次刻蝕深度，d是FMM孔較窄處寬，e是子像素間距，f是FMM二次刻蝕的基準面延伸長度，g是FMM和基板間基準面延伸長度，h是子像素下底間間距。

（2）一般希望，，的值都小一點，這樣孔就是垂直的；同時，在a，b，c的值一定的情況下，f和g的值可以比較?。蝗绻鹔的值也比較小的話，PPI可以做高。

在蒸鍍過程中，目前最廣泛被使用的方式為精細金屬光罩（FineMetalMask），可以說，蒸鍍的問題的核心，在于對FMM特性的研究。由于FMM在蒸鍍過程中只存在物理變化，因此，對FMM物理特性的研究，顯得尤為重要。

蒸鍍難點及技術(shù)研究

FMM在制作和使用過程中，受到如重力，CF，壓力，磁力等應力的作用。此外蒸鍍有機材料熱量釋放的影響還會產(chǎn)生熱膨脹。以及FMM在應力作用下產(chǎn)生的蠕變行為。對FMM物理特性的研究，主要圍繞應變、蠕變和熱膨脹這三個方面展開。目前，國內(nèi)很少有企業(yè)對此展開全面的研究。在這一點上，三星電子遠遠走在了前面。

主要問題就是FMM在大尺寸時會有彎曲下垂的問題，且畫素有所限制。在高解析度狀況下，目前則多使用Pentile解決光罩限制。

根據(jù)Displaysearch研究，綜觀目前5.5代線以及8代線，垂直掃描光罩（VerticalScanningMak）將是重要指標，韓國廠商正與設(shè)備商如火如荼進行中。垂直掃描在大尺寸面板蒸鍍時可避開變形問題，而且不用切割是優(yōu)勢，但這個方法仍不完美，未來大尺寸的蒸鍍應該還是要使用雷射或Injeck技術(shù)，韓廠當然不會錯過研發(fā)機會，但真正可量產(chǎn)的時間仍不明。

JDI在最近的2019年業(yè)績發(fā)布中，首次公布了OLED量產(chǎn)，稱“作為全球首個垂直蒸鍍”方式，本月將開始正式量產(chǎn)。據(jù) 消息，JDI將采用韓國KPS的Mask拉伸機和PIMS的Open Mask(OMM)。采用6代(1500mm x 1850mm) Half Cut的蒸鍍方式。